Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5821US
Herstellerteilenummer | 1N5821US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5821US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5821US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5821US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5821US-FT |
1N6676
Microsemi Corporation
DSB0.2A20
Microsemi Corporation
DSB0.2A40
Microsemi Corporation
DSB0.5A20
Microsemi Corporation
DSB0.5A30
Microsemi Corporation
DSB0.5A40
Microsemi Corporation
DSB2810
Microsemi Corporation
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
DSB3A40
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel