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Herstellerteilenummer | BQ4013MA-120 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4013MA-120 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4013MA-120 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 120ns |
Zugriffszeit | 120ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013MA-120 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4013MA-120-FT |
W632GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-12
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W632GG6KB-12 TR
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W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB-18
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W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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W632GG6KB12I TR
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W632GG6KB12J
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XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel