Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B6V2P-M3-08
Herstellerteilenummer | BZD27B6V2P-M3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B6V2P-M3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B6V2P-M3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 3 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B6V2P-M3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B6V2P-M3-08-FT |
MMSZ5260B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
EP3CLS70U484C7
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGSMD8K3F40I3
Intel
5SGXEA7K2F35I3N
Intel
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel