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Diodes Incorporated DMN3030LFG-7

Name: DMN3030LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3030LFG-7
Price: 0.1524 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (615 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN3030LFG-7

verfügbare Anzahl: 12380 Stücke

Referenzpreis: USD 0.1524

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN3030LFG-7.pdf

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DMN3030LFG-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN3030LFG-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN3030LFG-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN3030LFG-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	751pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3030LFG-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN3030LFG-7-FT

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