Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MSMBJ58AE3
Herstellerteilenummer | MSMBJ58AE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSMBJ58AE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ58AE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 58V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 64.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 93.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6.4A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | SMBJ (DO-214AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ58AE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSMBJ58AE3-FT |
SMBJ6.5CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ6.5CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ6.5E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ64AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ64CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ64CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ64E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ7.0A-TP
Micro Commercial Co
SMBJ7.0AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ7.0CAE3/TR13
Microsemi Corporation
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel