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Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:M

Name: MT47H512M4THN-25E:M
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT47H512M4THN-25E:M
Availability: InStock
Rating: 4.6 (384 reviews)

MFG-Teilenummer: MT47H512M4THN-25E:M

verfügbare Anzahl: 25030 Stücke

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Hersteller: Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung: - IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: MT47H512M4THN-25E:M.pdf

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MT47H512M4THN-25E:M Spezifikationen

Herstellerteilenummer	MT47H512M4THN-25E:M
Zukünftige Teilenummer	FT-MT47H512M4THN-25E:M
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
MT47H512M4THN-25E:M Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR2
Speichergröße	2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz	400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	400ps
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur	0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart	-
Paket / fall	-
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H512M4THN-25E:M Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	MT47H512M4THN-25E:M-FT

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