Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQD40061EL_GE3
Herstellerteilenummer | SQD40061EL_GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SQD40061EL_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD40061EL_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD40061EL_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQD40061EL_GE3-FT |
SIHH27N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8851EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SIHP16N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHP12N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP30N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP15N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHP22N60AE-GE3
Vishay Siliconix
SIHP21N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP25N50E-GE3
Vishay Siliconix