Herstellerteilenummer | SS1H9 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SS1H9 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SS1H9 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS1H9-FT |
SS24SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel