Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 10A07-T
Herstellerteilenummer | 10A07-T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-10A07-T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
10A07-T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | R6, Axial |
Supplier Device Package | R-6 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10A07-T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 10A07-T-FT |
BAS70Q-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-7-F
Diodes Incorporated
BAT54CQ-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448W-7-F
Diodes Incorporated
BAL99-7
Diodes Incorporated
BAL99TA
Diodes Incorporated
BAR99TA
Diodes Incorporated
BAS116
Diodes Incorporated
BAS16-7
Diodes Incorporated
BAS16TA
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel