Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 10ETS12S
Herstellerteilenummer | 10ETS12S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-10ETS12S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
10ETS12S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETS12S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 10ETS12S-FT |
VS-12TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel