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Herstellerteilenummer | 1110-3R9M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1110-3R9M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1110 |
1110-3R9M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.9µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 9A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.660" Dia (16.76mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-3R9M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1110-3R9M-FT |
1120-1R0M-RC
Bourns Inc.
1120-220K-RC
Bourns Inc.
1120-222K-RC
Bourns Inc.
1120-270K-RC
Bourns Inc.
1120-330K-RC
Bourns Inc.
1120-331K-RC
Bourns Inc.
1120-390K-RC
Bourns Inc.
1120-3R3M-RC
Bourns Inc.
1120-3R9M-RC
Bourns Inc.
1120-561K-RC
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel