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Herstellerteilenummer | 1110-4R7M-RC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1110-4R7M-RC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1110 |
1110-4R7M-RC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 9A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.660" Dia (16.76mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-4R7M-RC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1110-4R7M-RC-FT |
1130-392K
Bourns Inc.
1130-3R3M
Bourns Inc.
1130-3R9M
Bourns Inc.
1130-3R9M-RC
Bourns Inc.
1130-470K
Bourns Inc.
1130-471K
Bourns Inc.
1130-472K
Bourns Inc.
1130-4R7M
Bourns Inc.
1130-560K
Bourns Inc.
1130-560K-RC
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel