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Herstellerteilenummer | 1110-8R2M-RC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1110-8R2M-RC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1110 |
1110-8R2M-RC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 9A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.660" Dia (16.76mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-8R2M-RC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1110-8R2M-RC-FT |
1130-471K
Bourns Inc.
1130-472K
Bourns Inc.
1130-4R7M
Bourns Inc.
1130-560K
Bourns Inc.
1130-560K-RC
Bourns Inc.
1130-561K
Bourns Inc.
1130-5R6M
Bourns Inc.
1130-680K
Bourns Inc.
1130-681K
Bourns Inc.
1130-6R8M
Bourns Inc.
EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel