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Herstellerteilenummer | 1120-4R7M-RC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1120-4R7M-RC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1120 |
1120-4R7M-RC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 11.4A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.810" Dia (20.57mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-4R7M-RC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1120-4R7M-RC-FT |
1140-5R6M
Bourns Inc.
1140-680K
Bourns Inc.
1140-681K
Bourns Inc.
1140-682K
Bourns Inc.
1140-6R8M
Bourns Inc.
1140-820K
Bourns Inc.
1140-821K
Bourns Inc.
1140-822K
Bourns Inc.
1140-8R2M
Bourns Inc.
1130-101K-RC
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel