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Herstellerteilenummer | 1130-1R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1130-1R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1130 |
1130-1R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 21A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.100" Dia (27.94mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-1R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1130-1R2M-FT |
1140-121K
Bourns Inc.
1140-122K
Bourns Inc.
1140-123K
Bourns Inc.
1140-150K
Bourns Inc.
1140-151K
Bourns Inc.
1140-152K
Bourns Inc.
1140-153K
Bourns Inc.
1140-180K
Bourns Inc.
1140-181K
Bourns Inc.
1140-181K-RC
Bourns Inc.
XC3S250E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFI144-2X
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel