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Herstellerteilenummer | 11AA160T-I/MNY |
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Zukünftige Teilenummer | FT-11AA160T-I/MNY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
11AA160T-I/MNY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | 100kHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 5ms |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Single Wire |
Spannungsversorgung | 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-WFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 8-TDFN (2x3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA160T-I/MNY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 11AA160T-I/MNY-FT |
M24256-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C08-DRMF3TG/K
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M24C16-DRMF3TG/K
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M24C64-DRMF3TG/K
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M95020-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95040-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95512-DRMF3TG/K
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W25Q16FWZPIQ
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W25X40CLZPIG
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XC7A50T-2FG484I
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XC4028XL-2BG256I
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M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
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LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP4CE55F29I8L
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EP20K600CB652C8
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