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Herstellerteilenummer | 11LC080T-I/MNY |
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Zukünftige Teilenummer | FT-11LC080T-I/MNY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
11LC080T-I/MNY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM |
Speichergröße | 8Kb (1K x 8) |
Taktfrequenz | 100kHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 5ms |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Single Wire |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-WFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 8-TDFN (2x3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC080T-I/MNY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 11LC080T-I/MNY-FT |
W25Q16FWZPIQ
Winbond Electronics
W25X40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q80EWZPIG
Winbond Electronics
W25Q128JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG
Winbond Electronics
W25Q80JVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVPIM
Winbond Electronics
M95320-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
LE25U20AQGTXG
ON Semiconductor
11AA010T-I/MNY
Microchip Technology
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel