Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 12F100BBN R Y
Herstellerteilenummer | 12F100BBN R Y |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-12F100BBN R Y |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
12F100BBN R Y Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 12A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.26V @ 38A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Supplier Device Package | DO-203AA |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12F100BBN R Y Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 12F100BBN R Y-FT |
S300ZR
GeneSiC Semiconductor
S320J
GeneSiC Semiconductor
S320JR
GeneSiC Semiconductor
S320K
GeneSiC Semiconductor
S320KR
GeneSiC Semiconductor
S320M
GeneSiC Semiconductor
S320MR
GeneSiC Semiconductor
S320Q
GeneSiC Semiconductor
S320QR
GeneSiC Semiconductor
S380YR
GeneSiC Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel