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Herstellerteilenummer | 13R335C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-13R335C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1300R |
13R335C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.3mH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 190mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 7 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.374" Dia (9.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.532" (13.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
13R335C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 13R335C-FT |
18106C
Murata Power Solutions Inc.
18153C
Murata Power Solutions Inc.
18223C
Murata Power Solutions Inc.
18224C
Murata Power Solutions Inc.
18225C
Murata Power Solutions Inc.
18254C
Murata Power Solutions Inc.
18333C
Murata Power Solutions Inc.
18335C
Murata Power Solutions Inc.
18472C
Murata Power Solutions Inc.
18473C
Murata Power Solutions Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel