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Herstellerteilenummer | 1812R-151H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1812R-151H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1812R |
1812R-151H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 150nH |
Toleranz | ±3% |
Aktuelle Bewertung | 818mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 500MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 2-SMD |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.190" (4.83mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1812R-151H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1812R-151H-FT |
1812-564K
API Delevan Inc.
1812-680J
API Delevan Inc.
1812-680K
API Delevan Inc.
1812-680M
API Delevan Inc.
1812-681F
API Delevan Inc.
1812-681G
API Delevan Inc.
1812-681H
API Delevan Inc.
1812-681J
API Delevan Inc.
1812-681K
API Delevan Inc.
1812-682F
API Delevan Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel