Herstellerteilenummer | 1A7-AP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1A7-AP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1A7-AP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 40V |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | R-1 (Axial) |
Supplier Device Package | R-1 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1A7-AP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1A7-AP-FT |
S6G
GeneSiC Semiconductor
S6GR
GeneSiC Semiconductor
S6J
GeneSiC Semiconductor
S6JR
GeneSiC Semiconductor
S6K
GeneSiC Semiconductor
S6KR
GeneSiC Semiconductor
S6M
GeneSiC Semiconductor
S6MR
GeneSiC Semiconductor
S6Q
GeneSiC Semiconductor
S70B
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel