Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1C5819.T
Herstellerteilenummer | 1C5819.T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1C5819.T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1C5819.T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 110pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1C5819.T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1C5819.T-FT |
CD1607-B140LF
Bourns Inc.
CD1408-FU1400
Bourns Inc.
CD1408-R11000
Bourns Inc.
CD1408-F1400
Bourns Inc.
CD1408-FF11000
Bourns Inc.
CD1408-FU1800
Bourns Inc.
CD1408-F11000
Bourns Inc.
CD1408-F1200
Bourns Inc.
CD1408-F1600
Bourns Inc.
CD1408-F1800
Bourns Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel