Herstellerteilenummer | 1N3209 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3209 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3209 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-5 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3209 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3209-FT |
B340BE-13
Diodes Incorporated
B340CE-13
Diodes Incorporated
B345BE-13
Diodes Incorporated
B350BE-13
Diodes Incorporated
B350CE-13
Diodes Incorporated
B360BE-13
Diodes Incorporated
B360CE-13
Diodes Incorporated
B370BE-13
Diodes Incorporated
B370CE-13
Diodes Incorporated
B380BE-13
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel