Herstellerteilenummer | 1N3290 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3290 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3290 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 100A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 24mA @ 300V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AA, DO-8, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AA (DO-8) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 200°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3290 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3290-FT |
VS-31DQ05TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-31DQ06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-31DQ06TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR340
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR340TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR350
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR350TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR360
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR360TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25FR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel