Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N3595US
Herstellerteilenummer | 1N3595US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3595US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3595US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 4A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1nA @ 125V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3595US-FT |
APT10SCD120B
Microsemi Corporation
APT10SCE120B
Microsemi Corporation
APT10SCE170B
Microsemi Corporation
APT30SCD120B
Microsemi Corporation
APT60D30BG
Microsemi Corporation
JAN1N6661US
Microsemi Corporation
JANS1N6662US
Microsemi Corporation
JANTX1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6662US
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel