Herstellerteilenummer | 1N3595 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3595 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3595 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1nA @ 125V |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3595-FT |
BAS3010B03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS2103WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAT 60B E6433
Infineon Technologies
BAS 16-02W E6327
Infineon Technologies
BAS 70-02W E6327
Infineon Technologies
BAS1602WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT 64-02W E6327
Infineon Technologies
BAT6402WH6327XTSA1
Infineon Technologies
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel