Herstellerteilenummer | 1N3765 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N3765 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3765 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 700V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-5 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 190°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3765 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3765-FT |
1N645-1E3
Microsemi Corporation
1N6622US
Microsemi Corporation
1N6638
Microsemi Corporation
1N6638US
Microsemi Corporation
1N6639US
Microsemi Corporation
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel