Herstellerteilenummer | 1N3766 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3766 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3766 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-5 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 190°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3766 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3766-FT |
1N6638
Microsemi Corporation
1N6638US
Microsemi Corporation
1N6639US
Microsemi Corporation
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
AIDW10S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW12S65C5XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel