Herstellerteilenummer | 1N3767 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3767 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3767 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 900V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-5 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 190°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3767 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3767-FT |
1N6639US
Microsemi Corporation
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
AIDW10S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW12S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW16S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW20S65C5XKSA1
Infineon Technologies
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel