Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N4006E-E3/73
Herstellerteilenummer | 1N4006E-E3/73 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4006E-E3/73 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N4006E-E3/73 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4006E-E3/73 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4006E-E3/73-FT |
VS-MBRS130TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS140TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS190TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS320TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS1L30UPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EGH01-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EGH02-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5819-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4004-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel