Herstellerteilenummer | 1N4447 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4447 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N4447 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4447 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4447-FT |
IDH20G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDP04E120
Infineon Technologies
IDP06E60
Infineon Technologies
IDP09E120
Infineon Technologies
IDP23E60
Infineon Technologies
SDT04S60
Infineon Technologies
SDT05S60
Infineon Technologies
SDT06S60
Infineon Technologies
SDT08S60
Infineon Technologies
SDT10S30
Infineon Technologies
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel