Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N4448WS-HE3-18
Herstellerteilenummer | 1N4448WS-HE3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4448WS-HE3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N4448WS-HE3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448WS-HE3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4448WS-HE3-18-FT |
GPP15K-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15M-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15M-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR120-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR120-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR140-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR140-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel