Herstellerteilenummer | 1N4507 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4507 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
1N4507 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | - |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4507 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4507-FT |
JAN1N5806URS
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCU1
Microsemi Corporation
TSS0340L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS40L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS42L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS43L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS54L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS70L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
VS-60HFU-200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD453N25S20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel