Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 1N4779
Herstellerteilenummer | 1N4779 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4779 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N4779 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.5V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 200 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 75°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4779 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4779-FT |
1N4107 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4108 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4109 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4110 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4111 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4112 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4113 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4114 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4115 (DO35)
Microsemi Corporation
1N4116 (DO35)
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3CSG225Q
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35I2N
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