Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5186US
Herstellerteilenummer | 1N5186US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5186US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5186US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | B, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5186US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5186US-FT |
DSB1A80
Microsemi Corporation
DSB5818
Microsemi Corporation
DSB5820
Microsemi Corporation
DSB5821
Microsemi Corporation
DSB5822
Microsemi Corporation
MS104/TR12
Microsemi Corporation
MS104/TR8
Microsemi Corporation
MS104E3/TR12
Microsemi Corporation
MS104E3/TR8
Microsemi Corporation
MS105/TR12
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel