Herstellerteilenummer | 1N5282 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5282 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5282 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 55V |
Kapazität @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5282 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5282-FT |
BAS170WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS140WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS1603WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT5403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010A03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010B03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS2103WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAT 60B E6433
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel