Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 1N5371AE3/TR12
Herstellerteilenummer | 1N5371AE3/TR12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5371AE3/TR12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5371AE3/TR12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 60V |
Toleranz | ±10% |
Leistung max | 5W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 40 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 43V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | T-18, Axial |
Supplier Device Package | T-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5371AE3/TR12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5371AE3/TR12-FT |
1N5366A/TR12
Microsemi Corporation
1N5366A/TR8
Microsemi Corporation
1N5366AE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5366AE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5366AE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5366B/TR12
Microsemi Corporation
1N5366B/TR8
Microsemi Corporation
1N5366BE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5366BE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5366BE3/TR8
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel