Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / 1N5387AE3/TR12
Herstellerteilenummer | 1N5387AE3/TR12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5387AE3/TR12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5387AE3/TR12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 190V |
Toleranz | ±10% |
Leistung max | 5W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 450 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 137V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | T-18, Axial |
Supplier Device Package | T-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5387AE3/TR12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5387AE3/TR12-FT |
1N5382B/TR12
Microsemi Corporation
1N5382B/TR8
Microsemi Corporation
1N5382BE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5382BE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5382BE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5382C/TR12
Microsemi Corporation
1N5382C/TR8
Microsemi Corporation
1N5382CE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5382CE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5382CE3/TR8
Microsemi Corporation
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation