Herstellerteilenummer | 1N5396 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5396 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5396 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 500V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 500V |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AC, DO-15, Axial |
Supplier Device Package | DO-15 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5396 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5396-FT |
ES3B
ON Semiconductor
S3G
ON Semiconductor
S3N
ON Semiconductor
SS32
ON Semiconductor
ES3C
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MBRS320
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SS39
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RGF1M
ON Semiconductor
RS1J
ON Semiconductor
S1J
ON Semiconductor
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel