Herstellerteilenummer | 1N5399 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N5399 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5399 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AC, DO-15, Axial |
Supplier Device Package | DO-15 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5399 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5399-FT |
SS32
ON Semiconductor
ES3C
ON Semiconductor
MBRS320
ON Semiconductor
SS39
ON Semiconductor
RGF1M
ON Semiconductor
RS1J
ON Semiconductor
S1J
ON Semiconductor
S1M
ON Semiconductor
SS12
ON Semiconductor
SS14
ON Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel