Herstellerteilenummer | 1N5406 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N5406 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5406 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5406-FT |
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor
1N3214R
GeneSiC Semiconductor
S85J
GeneSiC Semiconductor
1N3214
GeneSiC Semiconductor
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor
1N2138A
GeneSiC Semiconductor
1N2131A
GeneSiC Semiconductor
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor
1N2130A
GeneSiC Semiconductor
1N1206A
GeneSiC Semiconductor
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel