Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5407-G
Herstellerteilenummer | 1N5407-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5407-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5407-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-27 (DO-201AD) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5407-G-FT |
ACGRKM4007-HF
Comchip Technology
ACGRKM4004-HF
Comchip Technology
ACGRKM4005-HF
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CDBB360-G
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CGRB307-G
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CDBB1100-G
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CDBB2200-HF
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CDBB2100-G
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CDBB140-HF
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XC2V1500-4FGG676C
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XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
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A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel