Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5407G B0G
Herstellerteilenummer | 1N5407G B0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5407G B0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5407G B0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407G B0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5407G B0G-FT |
SF63G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF67G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF67GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel