Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5417-TAP
Herstellerteilenummer | 1N5417-TAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5417-TAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5417-TAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-64, Axial |
Supplier Device Package | SOD-64 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5417-TAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5417-TAP-FT |
LS103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4151-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4151GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel