Herstellerteilenummer | 1N5419 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-1N5419 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5419 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 500V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 500V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5419 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5419-FT |
1N5194
Microsemi Corporation
1N5195
Microsemi Corporation
1N5196
Microsemi Corporation
1N648-1
Microsemi Corporation
1N6675
Microsemi Corporation
1N6676
Microsemi Corporation
DSB0.2A20
Microsemi Corporation
DSB0.2A40
Microsemi Corporation
DSB0.5A20
Microsemi Corporation
DSB0.5A30
Microsemi Corporation
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel