Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5552US/TR
Herstellerteilenummer | 1N5552US/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5552US/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5552US/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, E |
Supplier Device Package | D-5B |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5552US/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5552US/TR-FT |
1N4004-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
1N4004-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
1N4004G BK
Central Semiconductor Corp
1N4004GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4004GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004SP AP-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4004SP TR-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4005 BK
Central Semiconductor Corp
1N4005 TR
Central Semiconductor Corp
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel