Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5554US
Herstellerteilenummer | 1N5554US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5554US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5554US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5554US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5554US-FT |
1N4449
Microsemi Corporation
1N4454-1
Microsemi Corporation
1N482B
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1N484B
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1N5195
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1N5196
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Microsemi Corporation
1N6675
Microsemi Corporation
1N6676
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
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LCMXO1200E-3FTN256C
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10M40DAF256I6G
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XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE30F29I7
Intel