Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5615US/TR
Herstellerteilenummer | 1N5615US/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5615US/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5615US/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | D-5A |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5615US/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5615US/TR-FT |
1N4004G BK
Central Semiconductor Corp
1N4004GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4004GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004SP AP-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4004SP TR-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4005 BK
Central Semiconductor Corp
1N4005 TR
Central Semiconductor Corp
1N4005G BK
Central Semiconductor Corp
1N4005GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel