Herstellerteilenummer | 1N5615 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5615 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5615 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | A, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5615 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5615-FT |
MSC010SDA120K
Microsemi Corporation
APT15D60KG
Microsemi Corporation
APT30DQ100KG
Microsemi Corporation
MSC030SDA120K
Microsemi Corporation
APT10SCD65K
Microsemi Corporation
APT15D30KG
Microsemi Corporation
APT15D40KG
Microsemi Corporation
APT15S20KG
Microsemi Corporation
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation