Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N5637AE3/TR
Herstellerteilenummer | 1N5637AE3/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5637AE3/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5637AE3/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12.8V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 14.3V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 21.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 71A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-13 |
Supplier Device Package | DO-13 (DO-202AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5637AE3/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5637AE3/TR-FT |
MXRT100KP180CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP200A
Microsemi Corporation
MXRT100KP200AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP200CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP200CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP220AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP220CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP220CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP250A
Microsemi Corporation
MXRT100KP250AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel